GB 51034-2014 多晶硅工厂设计规范

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【主编部门】
中国有色金属工业协会
【批准部门】

中华人民共和国住房和城乡建设部
【发布单位】

中华人民共和国住房和城乡建设部；中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
【主编单位】

中国有色工程有限公司；中国恩菲工程技术有限公司
【参编单位】

华陆工程科技有限公司；洛阳中硅高科技有限公司；多晶硅制备技术国家工程实验室；江西赛维LDK光伏硅科技有限公司
【参加单位】

国电内蒙古晶阳能源有限公司；昆明冶研新材料股份有限公司
【主要起草人】

严大洲；杨永亮；毋克力；肖荣晖；汤传斌；郑红梅；罗英；陈希勇；吴崇义；唐广怀；陈维平；薛民权；付小林；姚又省；杨健；吴昌元；朱舲；赵晓静；李超；杨志国；孙兵；司文学；姜利霞；张升学；谢冬晖；万烨；王利强；高晓辉
【主要审查人】

朱黎辉；袁桐；杨铁荣；贺东江；周齐领；江元升；陈廷显；崔树玉；银波；刘毅

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中华人民共和国住房和城乡建设部公告第530号
前　　言
1　总　　则
2　术　　语
3　基本规定
4　厂址选择及厂区规划
- 4.1　厂址选择
- 4.2　厂区规划
5　工艺设计
- 5.1　一般规定
- 5.2　三氯氢硅合成和四氯化硅氢化
- 5.3　氯硅烷提纯
- 5.4　三氯氢硅氢还原
- 5.5　还原尾气干法回收
- 5.6　硅芯制备及多晶硅产品后处理
- 5.7　分析检测
6　电气及自动化
- 6.1　电　　气
- 6.2　自　动　化
7　辅助设施
- 7.1　压缩空气站
- 7.2　制　氮　站
- 7.3　制　氢　站
- 7.4　导　热　油
- 7.5　纯水制备
- 7.6　制　　冷
- 7.7　蒸　　汽
8　建筑结构
- 8.1　一般规定
- 8.2　主要生产厂房和辅助用房
- 8.3　防火、防爆
- 8.4　洁净设计及装修
- 8.5　防　腐　蚀
- 8.6　结构设计
9　给水、排水和消防
- 9.1　给　　水
- 9.2　排　　水
- 9.3　废水处理
- 9.4　循环冷却水系统
- 9.5　消　　防
10　采暖、通风与空气调节
- 10.1　一般规定
- 10.2　通　　风
- 10.3　空气调节与净化
- 10.4　防　排　烟
- 10.5　空调冷热源
11　环境保护、安全和卫生
- 11.1　环境保护
- 11.2　安　　全
- 11.3　卫　　生
12　节能、余热回收
- 12.1　一般规定
- 12.2　生产工艺
附录A　地下管线与建（构）筑物之间的最小水平净距
附录B　地下管线之间的最小水平净距
附录C　主要房间空气洁净度、温度、湿度
本规范用词说明
引用标准名录

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英文目录

1 General provisions
2 Terms
3 Basic requirements
4 Plant location and planning
- 4.1 Plant location
- 4.2 Plant planning
5 Process design
- 5.1 Gerenal requirements
- 5.2 Trichlorosilane synthesis and silicon tetrachloride hydrogenation
- 5.3 Chlorosilane purification
- 5.4 Trichlorosilane hydrogen reduction
- 5.5 Recovery of reduction off-gas
- 5.6 Filament preparation and polysilicon handling
- 5.7 Analysis and detection
6 Electric and automation
- 6.1 Electric
- 6.2 Automation
7 Utilities
- 7.1 Compressed air station
- 7.2 Nitrogen production
- 7.3 Hydrogen production
- 7.4 Thermal oil
- 7.5 Preparation of pure water
- 7.6 Refrigeration
- 7.7 Steam
8 Architecture and structure
- 8.1 General requirements
- 8.2 Main production plant and subsidiary rooms
- 8.3 Fire and explosion protection
- 8.4 Clean design and decoration
- 8.5 Anti-corrosion
- 8.6 Structural design
9 Plumbing and fire protection
- 9.1 Water supply
- 9.2 Drainage
- 9.3 Waste water treatment
- 9.4 Circulating cooling water system
- 9.5 Fire protection
10 HVAC
- 10.1 General requirements
- 10.2 Ventilation
- 10.3 Air condition and cleaning
- 10.4 Smoke control
- 10.5 Cold and heat source of air conditioning
11 Environmental protection，safety and health
- 11.1 Environmental protection
- 11.2 Safety
- 11.3 Health
12 Energy saving and waste heat recovery
- 12.1 General requirements
- 12.2 Production process
Appendix A The minimum horizontal clearance distance between underground pipelines and building structures
Appendix B The minimum horizontal clearance distance between underground pipelines
Appendix C Air cleanliness，temperature and humidity in main rooms
Explanation of wording in this code
List of quoted standards

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中华人民共和国住房和城乡建设部公告第530号

住房城乡建设部关于发布国家标准《多晶硅工厂设计规范》的公告

4-40-00

现批准《多晶硅工厂设计规范》为国家标准，编号为GB 51034—2014，自2015年5月1日起实施。其中，第4.2.8、6.1.3（9）、6.1.6（3）、6.2.8（3）、8.1.1、8.2.1（2、3、5）、8.2.5（3）、8.3.1（2、3）、8.3.2（2）、8.6.4、9.1.3、9.3.4、9.4.3、9.5.2、10.1.3、10.3.4、10.3.6、10.3.9、11.1.6、11.2.3、12.2.5条（款）为强制性条文，必须严格执行。

本规范由我部标准定额研究所组织中国计划出版社出版发行。

中华人民共和国住房和城乡建设部

2014年8月27日

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本书术语

术语	英文名称	术语	英文名称
三氯氢硅氢还原法	trichlorosilane hydrogen reduction process	多晶硅	polysilicon
还原尾气干法回收	reduction off-gas recovery by dry method	四氯化硅氢化	silicon tetrachloride hydrogenation
三氯氢硅合成	trichlorosilane synthesis	氯硅烷精馏	chlorosilane distillation
液氯汽化	liquid chlorine vaporization	氯化氢合成	hydrogen chloride synthesis
盐酸解析	hydrochloric acid stripping	还原炉	reduction reactor

多晶硅工厂设计规范

Code for design of polysilicon plant

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中华人民共和国住房和城乡建设部公告第530号

前 言

1 总 则

2 术 语

3 基本规定

4 厂址选择及厂区规划

4.1 厂址选择

4.2 厂区规划

5 工艺设计

5.1 一般规定

5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化

5.3 氯硅烷提纯

5.4 三氯氢硅氢还原

5.5 还原尾气干法回收

5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理

5.7 分析检测

6 电气及自动化

6.1 电 气

6.2 自 动 化

7 辅助设施

7.1 压缩空气站

7.2 制 氮 站

7.3 制 氢 站

7.4 导 热 油

7.5 纯水制备

7.6 制 冷

7.7 蒸 汽

8 建筑结构

8.1 一般规定

8.2 主要生产厂房和辅助用房

8.3 防火、防爆

8.4 洁净设计及装修

8.5 防 腐 蚀

8.6 结构设计

9 给水、排水和消防

9.1 给 水

9.2 排 水

9.3 废水处理

9.4 循环冷却水系统

9.5 消 防

10 采暖、通风与空气调节

10.1 一般规定

10.2 通 风

10.3 空气调节与净化

10.4 防 排 烟

10.5 空调冷热源

11 环境保护、安全和卫生

11.1 环境保护

11.2 安 全

11.3 卫 生

12 节能、余热回收

12.1 一般规定

12.2 生产工艺

附录A 地下管线与建（构）筑物之间的最小水平净距

附录B 地下管线之间的最小水平净距

附录C 主要房间空气洁净度、温度、湿度

本规范用词说明

引用标准名录

英文目录

1 General provisions

2 Terms

3 Basic requirements

4 Plant location and planning

4.1 Plant location

4.2 Plant planning

5 Process design

5.1 Gerenal requirements

5.2 Trichlorosilane synthesis and silicon tetrachloride hydrogenation

5.3 Chlorosilane purification

5.4 Trichlorosilane hydrogen reduction

5.5 Recovery of reduction off-gas

5.6 Filament preparation and polysilicon handling

5.7 Analysis and detection

6 Electric and automation

6.1 Electric

6.2 Automation

前　　言

1　总　　则

2　术　　语

3　基本规定

4　厂址选择及厂区规划

4.1　厂址选择

4.2　厂区规划

5　工艺设计

5.1　一般规定

5.2　三氯氢硅合成和四氯化硅氢化

5.3　氯硅烷提纯

5.4　三氯氢硅氢还原

5.5　还原尾气干法回收

5.6　硅芯制备及多晶硅产品后处理

5.7　分析检测

6　电气及自动化

6.1　电　　气

6.2　自　动　化

7　辅助设施

7.1　压缩空气站

7.2　制　氮　站

7.3　制　氢　站

7.4　导　热　油

7.5　纯水制备

7.6　制　　冷

7.7　蒸　　汽

8　建筑结构

8.1　一般规定

8.2　主要生产厂房和辅助用房

8.3　防火、防爆

8.4　洁净设计及装修

8.5　防　腐　蚀

8.6　结构设计

9　给水、排水和消防

9.1　给　　水

9.2　排　　水

9.3　废水处理

9.4　循环冷却水系统

9.5　消　　防

10　采暖、通风与空气调节

10.1　一般规定

10.2　通　　风

10.3　空气调节与净化

10.4　防　排　烟

10.5　空调冷热源

11　环境保护、安全和卫生

11.1　环境保护

11.2　安　　全

11.3　卫　　生

12　节能、余热回收

12.1　一般规定

12.2　生产工艺

附录A　地下管线与建（构）筑物之间的最小水平净距

附录B　地下管线之间的最小水平净距

附录C　主要房间空气洁净度、温度、湿度